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產(chǎn)品中心

當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心電力通訊·電阻率儀系列BX-Y1246D1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品型號(hào):BX-Y1246D

更新時(shí)間:2024-05-15

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:1359

服務(wù)熱線

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產(chǎn)品介紹

BX-Y1245ABCDEFG.png

產(chǎn)品用途:1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

儀器特點(diǎn):1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求,軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.

技術(shù)參數(shù):

1.方塊電阻范圍

10^-6~2×10^5Ω/□

2.電阻率范圍

10^-7~2×10^6Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍

1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA

4.電流精度

±0.1讀數(shù)

5.電阻精度

≤0.3%

PC軟件界面

顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式

雙電測(cè)量

8.四探針儀工作電源

AC 220V±10%.50Hz  <30W

9.誤差

≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果

10.溫度(選購)

常溫--200;400℃;600℃;800℃;1000℃;1200℃;1400℃;1600℃

11.氣氛保護(hù)(氣體客戶自備)

常用氣體如下:氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子

12.溫度精度

沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C

13.升溫速度:

常溫開始400℃--800℃需要15分鐘;800℃-1200℃需要30分鐘;1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘

14.高溫材料

采用復(fù)合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征

15.PC軟件

 

測(cè)試PC軟件一套,USB通訊接口,軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)!

16.電極(探針)材料標(biāo)配 

鎢電極或鉬電極+電極(探針)陶瓷管 +高溫陶瓷樣品臺(tái),1套.

17.探針間距

直線型探針,探針間距:4mm;

18.樣品要求

樣品長度要求13mm  樣品寬2mm或直徑≥13mm

19.高溫電源:

 

供電:400-1200℃ 電源220V,功率2-4KW;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率4-6KW:

20.標(biāo)配外(選購):

a電腦和打印機(jī)1套;b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè)

c.S型鉑銠探針電極(溫度范圍:200-1300度);

d.B型鉑銠探針電極(溫度范圍:1400-1600度)






 

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